Model and empirical study on some collaboration networks

In this paper we present an empirical study of a few practical systems described by cooperation networks, and propose a model to understand the results obtained. We study four non-social systems, which are the Bus Route Networks of Beijing and Yangzhou, the Travel Route Network of China, Huai-Yang recipes of Chinese cooked food, and a social system, which is the Collaboration Network of Hollywood Actors. In order to explain the results related to the degree distribution, act-degree distribution and act-size distribution (especially about the degree distribution, which may be better fitted using a stretched exponential distribution (SED)), we suggest a simple model to show a possible evolutionary mechanism for the emergence of such networks. The analytic and numerical results obtained from the model are in good agreement with the empirical results.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

符号几何规划的一种分解方法

针对符号几何规划提出了一种直接的分解方法,将难于求解的符号几何规划问题等价地转化为一个非线性程度很低的可分离规划,为寻求困难度高且规模较大的符号几何规划问题的求解提供了一种方法,特别是经此方法分解后的每个子问题均易于求解,最后给出了数值实例,验证了此方法的有效性．     

微量元素制剂辅助治疗复发性口疮疗效观察

报道了１０３例ＲＡＵ患者使用微量元素制剂辅助治疗的临床疗效观察。将两个实验组分别与对照组比较。结果显示：应用锌、铁制剂辅助雷公藤、复方丹参等治疗的实验组Ｉ效果优于雷公藤、复方丹参对照组（Ｐ〈０．０１），而仅用锌、铁制剂治疗的实验组Ⅱ临床效果比对照组差（Ｐ〈０．０１），但锌、铁制剂有改善ＲＡＵ临床症状作用，而不能较好地控制其复发。     

环形线电荷的电场分布

给出了圆环形线电荷电场分布的理论公式，并利用计算机计算出其具体分布规律。     

非线性退缩反应扩散方程组的整体解

本文讨论非线性退缩方程组u_it=△η_i(u_i)+f_i(x,t,u₁,…,u_N),(x,t)∈Q_T=Ω×(0,T)具有Dirichlet边界条件的解之整体存在和非整体存在.     

A remark on the regularity of the ν-function of dirac operators

In this paper, we prove the regularity near the origin of the ν-function of Dirac operators associated with certain non-torsion free connections.     

Single change covering designs

A single-change covering designSC (v, k, b) on av-setV is a sequence ofb k-sets (blocks) onV which together cover every pair of elements ofV at least once, such that two successive blocks havek–1 elements in common. It is desirable to minimizeb. Some constructions and lower bounds forb are given.     

α-Fe_2O_3纳米微粒/硬脂酸交替L-B膜的结构表征

纳米微粒(NP)是一个新的物质层次,它具有一系列新异的物理、化学特性,涉及到大块样品中所忽略的,或根本不具有的基本物理、化学问题.用NP 制造新型的人工功能材料具有广泛的潜在应用.一个有意义的挑战是能否对NP 进行有序的组装.Zhao andFendler 等曾利用Fe_3O_4NP 进行有序组装的尝试.我们也在前期的初步研究中利用Langmuir-Blodgett(LB)技术对7nm 的α-Fe_2O_3 NP 进行了有序组装的探索,获得了α-Fe_2O_3 NP-硬脂酸交替LB 多层膜(FNSLF).然而这种交替膜的有序情况还不十分清楚.     

氙灯泵浦新型晶体Nd∶S－VAP调Q激光器腔内倍频研究

采用氙灯泵浦晶体Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ，ＫＴＰ晶体腔内倍频，实现了Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ晶体０．５３２５μｍ绿光激光ＢＤＮ染料片调Ｑ运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度，给出了染料片调Ｑ腔内倍频的耦合波方程组，数值求解方程组，所得的理论数据与实验结果很好地相符